سامسونج تبدأ الإنتاج الضخم لأول ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 DRAM سعة 16 جيجابايت في أكبر مصنع لأشباه الموصلات حول العالم

0 18٬276

 أعلنت شركة سامسونج للإلكترونيات المحدودة، الشركة الرائدة عالمياً في مجال تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة، عن إنتاج أول وأحدث رقاقات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية، وذات معدل البيانات المزدوجة بسعة 16- ميجابايت الأولى من نوعها على مستوى القطاع، في مصنعها الكائن في بيونجتايك- كوريا. وقد نجحت الشركة في توفير هذه الرقاقات والمعروفة باسم PDDR5 DRAM، بالاعتماد على تقنية الأشعة فوق البنفسجية عالية الطاقة .(EUV) وتتميز هذه الذاكرة بأعلى مستويات الأداء والقدرة الاستيعابية على الإطلاق، وذلك بفضل الاعتماد على تقنية سامسونج للمعالجة من الجيل الثاني والتي تبلغ 10 نانومتر. ومن المتوقع أن يحدث هذا الإنجاز نقلة نوعية في سوق رقائق الذاكرة؛ وبالتالي تمكين المستخدمين من الاستمتاع بالمزايا الكاملة التي توفرها لهم تقنية الجيل الخامس وخاصية الذكاء الاصطناعي AI المحسنة باستخدام الهواتف الذكية.

وقال جونغ باي لي، نائب المدير التنفيذي لقسم تكنولوجيا ومنتجات رقاقات  DRAM في سامسونج للإلكترونيات : “ترتقي تقنيةLPDDR5  بسعة 16 جيجابايت من فئة 1z بالقطاع إلى المستوى التالي، حيث تساهم في التخلص من التحديات الأساسية التي يتم مواجهتها خلال عمليات التطوير الرئيسية والهادفة إلى توسيع نطاق رقاقات DRAM على مستوى العقد المتقدمة. ونحن ملتزمون بتوسيع تشكيلتنا المتميزة من رقاقات DRAM  على نحو مستمر وبما يلبي احتياجات المستخدمين ويتخطى توقعاتهم في هذا الإطار ، فيما نتابع تعزيز ريادتنا من خلال المساهمة في زيادة النمو بشكل عام عبر سوق الذاكرات الإلكترونية”.

تعزيز القدرات التصنيعية في مجمع بيونجتايك

يحتل مصنع بيونجتايك 2 العائد لسامسونج مساحة تزيد عن 128900 متر مربع (أكثر من 1.3 مليون قدم مربع) – أي ما يعادل مساحة حوالي 16 ملعباً لكرة القدم – وهو أكبر مصنع لإنتاج أشباه الموصلات حتى الآن في العالم.

وسيتم اعتماد المصنع الجديد كمنصة رئيسية لتصنيع تقنيات أشباه الموصلات الأكثر تقدماً على مستوى القطاع، حيث يشهد تصنيع رقاقات DRAM المتطورة، وحلول V-NAND ، إضافة إلى إجراء عمليات السبك، بالتزامن مع دوره في تعزيز ريادة الشركة عبر جميع مراحل الثورة الصناعية الرابعة.

أسرع ذاكرة لهاتف ذكي على الإطلاق بقدرات استيعابية غير مسبوقة

استطاعت سامسونج بالاعتماد على تقنية المعالجة من فئة (1z) الأكثر تطوراً حتى اليوم، إنتاج ذاكرةLPDDR5  الجديدة بسعة 16 جيجابايت، والتي تعتبر أول رقاقة ذاكرة يتم إنتاجها بهذه الكميات الضخمة باستخدام تقنية الأشعة فوق البنفسجية عالية الطاقة، ما يوفر أعلى سرعة وأكبر قدرة استيعابية يشهدها القطاع في مجال ذاكرة الوصول العشوائي المحمولة.

وتعتبر ذاكرة LPDDR5 الجديدة بسعة 16 جيجابايت (6400 ميجابايت/ثانية) أسرع بنحو 16% من ذاكرةLPDDR5  سعة 12 جيجابت (5500 ميجابايت/ ثانية) المستخدمة في معظم الأجهزة المحمولة الرائدة في السوق حالياً. وتتمكن هذه الذاكرة عند دمجها بحزمة سعة 16 جيجابايت، نقل حوالي 10 أفلام عالية الدقة بحجم 5 جيجابايت أو 51.2 جيجابايت من البيانات في ثانية واحدة.

كما أدى اعتماد المعالجة من فئة 1z، إلى تصغير حجم ذاكرةLPDDR5  لتصبح أرق بنسبة 30% من سابقاتها، ما يتيح للهواتف الذكية المتوافقة مع تقنية الجيل الخامس والهواتف المزودة بكاميرات متعددة، بالإضافة إلى الأجهزة القابلة للطي، توفير المزيد من الوظائف والمزايا بتصميم أرق. وتتكون حزمةLPDDR5  بسعة 16 جيجا بايت من ثماني شرائح فقط، بينما كان يتم تزويد الحزمة السابقة من فئة 1y  بـ12 شريحة (ثمانية شرائح 12 جيجا بايت وأربع شرائح 8 جيجا بايت) لتوفير ذات القدرة الاستيعابية.

تخطط سامسونج لتعزيز ريادتها في سوق الهواتف الذكية خلال العام 2021، عبر تقديم أول رقاقة LPDDR5 بسعة 16 جيجابايت من فئة 1z للشركات الرائدة عالمياً في مجال تصنيع الهواتف الذكية.  كما ستعمل الشركة على تعزيز قدراتها التنافسية عبر توسيع عروض الرقاقات الجديدة لتشمل التطبيقات المستخدمة في المركبات ذاتية القيادة، ما يساهم في توسيع مجالات الحرارة لتلبية معايير السلامة والموثوقية الصارمة في البيئات القاسية.

###

حول شركة سامسونج للإلكترونيات المحدودة

تعتبر شركة سامسونج للإلكترونيات المحدودة رائداً عالمياً ملهماً يساهم في رسم معالم المستقبل من خلال أفكار وتقنيات ثورية مبتكرة. وتعمل الشركة على إعادة صياغة عالم أجهزة التلفاز والهواتف الذكية والأجهزة القابلة للارتداء والأجهزة اللوحية والكاميرات والأجهزة المنزلية الرقمية والطابعات والمعدات الطبية وأنظمة الشبكات وأشباه الموصلات وحلول الإضاءة إل إي دي LED. للحصول على أحدث الأخبار يرجى زيارة غرفة أخبار سامسونج من خلال الرابط: news.samsung.com

 

اترك رد

error: Content is protected !!